2026年5月25日，据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，并已验证存储单元正常工作特性，标志着三星在高端存储技术领域实现跨代式领先。传统3D NAND采用单次连续刻蚀堆叠工艺，受晶圆翘曲、层间对准误差等物理限制，难以突破500层门槛。三星创新的CMB技术，先独立制造两片450层3D NAND晶圆，再通过高精度键合工艺合二为一，直接将堆叠层数翻倍至900层，打破传统工艺的物理瓶颈。为保障原型良率与稳定性，三星同步攻克多
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三星 3D NAND闪存
当下资本大量涌入数据中心领域，成本并非推动Chiplet（小芯片）落地的首要因素。消费电子、汽车等对价格高度敏感的市场，才是检验小芯片经济可行性的关键阵地。但是Chiplet设计的经济性该如何评估，业内一直存在着比较大的分歧。 对于这些成本敏感应用，Chiplet的价值是将整块单晶硅片拆分封装为十颗小芯片，若原单片部分功能需采用昂贵的先进制程，拆分后可缩小先进工艺芯片面积，以此提升良率、压缩成本。其余九颗小芯片则可选用成本更低、良品率更高的成熟制程生产。但拆分也会带来额外开销：原本仅需一套光刻掩
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经济性 Chiplet
核心要点裸片间小芯片(Chiplet)标准只是开端，成熟小芯片市场还需更多标准支撑多项相关标准已发布初版或正在制定中现有工作覆盖封装、系统架构、各类设计套件、通用链路层及Bunch of Wires（BoW）更新当前小芯片(Chiplet)仍处于孤岛式发展状态。在同一封装内，除高带宽内存（HBM）外，所有裸片均来自同一家厂商，并由其全权管控。要实现行业对小芯片(Chiplet)市场的愿景，需要更完善的体系支撑。若每家芯片企业都自行设计制造专属小芯片，这种模式将无法落地。小芯片市场需要标准保障互操作性与物理
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小芯片 标准 即插即用 chiplet
增材制造（3D 打印）的惊人进步已耳熟能详，它可以使用一长串材料制造大大小小的物件。其中一些物件可按需复刻现有零件，另一些则是采用锻造、机加工、注塑、铸造、挤压、化学蚀刻等任何标准制造工艺都无法生产的结构。麻省理工学院（MIT）的一组研究人员现已开发出一个多材料 3D 打印平台，可一步到位完整打印出电气设备（图 1）。图 1 本研究开发的多模式、多材料挤出系统集成工具：(a) E3D Hemera 丝材挤出机；(b) 带定制 3D 打印部件、兼容 E3D ToolChanger 的 Mahor v4 颗粒
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增材制造 3D 打印 电动机
近年来半导体行业发展迅猛，尤其是高性能计算、人工智能和先进汽车系统的需求持续攀升，传统单裸片芯片设计已难以满足当下的功耗、性能、面积（PPA）指标要求。为此，工程师们开始采用多裸片架构，将多个小尺寸裸片集成在单个封装中。该架构虽提升了芯片的可扩展性与性能，却也带来了新的挑战，其中互连规划问题尤为突出。而实现不同裸片间的通信，凸点与硅通孔（TSV）的高效规划，是多裸片集成过程中至关重要的环节。（图 1：基于电子表格的凸点规划示意图）在多裸片设计中，芯片间的互连通过布置在裸片表面的微凸点或混合键合焊盘实现，这
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核心要点晶圆厂工艺正围绕洁净度、平坦度、高键合质量进行优化。纳米孪晶铜与 **SiCN 物理气相沉积（PVD）** 可实现适用于 HBM 的更低退火与沉积温度。一层薄保护层有助于在严苛工艺中保护铜 / 介质界面。半导体制造的未来不再仅依赖特征尺寸微缩，芯片厂商正在重新思考器件的制造、堆叠与供电方式。混合键合可以说是3D 集成最核心的结构性支撑技术，它能在相同面积内实现比焊料凸点高出数个数量级的互连密度，同时提升信号完整性与电源完整性。它是单封装内集成多颗小芯片（chiplet）的关键技术，能够降低内存 /
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混合键合技术 多芯片封装 chiplet
向多芯粒(Chiplet)集成转型既充满前景，也带来了复杂性。可扩展的互连技术与自动化工具，正成为支撑未来设计的关键要素。芯粒已成为下一代系统架构讨论中的核心主题。当前行业描绘的愿景是：设计团队能够选用不同来源的裸芯，通过标准化接口与简化流程，搭建多芯粒系统。业界常将其类比为现成 IP 组件，期望芯粒能像无源器件甚至单片机一样，易于使用且具备互操作性。然而，这一愿景虽极具吸引力，却与现实仍有很大差距。芯粒集成的现状芯粒通常分为两类架构：同构横向扩展与异构解耦。同构设计在一个封装内使用多个相同裸芯以提升性能
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近日，长江存储三期项目正在安装巨型洁净厂房设备，项目负责人透露，计划今年建成投产。湖北省委书记王忠林来到长江存储三期项目建设现场三期扩产与未来目标长江存储成立于2016年7月，是我国存储芯片制造领域的龙头企业，主要为市场提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案。2021年12月，长江存储二期科技有限责任公司成立，注册资本600亿元。2025年9月，长存三期（武汉）集成电路有限责任公司成立，注册资本达207.2亿元 —— 由长江存储持股5
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动力强劲的 F1 赛车、穿梭飞行的无人机、士兵的单兵背包、智能可穿戴设备，这些产品有着一个共同点：都需要电池供电。理想状态下，电池能精准适配各类不规则的边角、曲面与空隙，但如今的圆柱或方形电池电芯却难以实现这一点。曾参与设计梅赛德斯 - AMG 马石油车队赛车、助力该车队拿下七连冠的工程师 Gabe Elias，联合创立了一家初创企业，推出电池 3D 打印技术 —— 可将电池直接打印在设备表面，填充各类设备和交通工具中的闲置空间。该公司近期与美国空军签下一份价值 125 万美元、为期 18 个月的合同，旨
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Chiplet为应对行业日益增长的功能需求和成本压力这两大挑战提供了极具吸引力的解决方案。
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借助使“隐形斗篷”成为可能的光扭曲技术，科学家们开发出一种既能实现微观细节又能实现高通量的新型3D打印技术。研究人员建议，他们的新技术有望实现复杂纳米级结构的大规模生产。潜在应用包括药物递送和核聚变研究。目前，3D打印复杂微观特征最精确的方法是双光子光刻。该技术使用液态树脂，只有当树脂中的感光分子同时吸收两个光子而非一个光子时才会凝固。 双光子光刻技术使得体素——相当于像素的三维结构——体积仅几十纳米的器件成为可能。然而，双光子光刻技术在大规模实际应用中被证明过于缓慢。这在很大程度上使其成为实验
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我们制造的半导体数量比以往任何时候都多，但不知为何，这仍然远远不够。需求持续增长，这得益于人工智能在我们日常生活中的兴起，但生产仍面临瓶颈。问题不仅仅是规模问题;更归根结底，是整个制造业的结构。目前，半导体行业高度集中，依赖于少数几家晶圆厂。除此之外，地缘政治日益复杂，每个人都希望成为开发这些先进芯片的中心。然而，只有少数国家具备实现这一目标的基础设施、专业知识和原材料。小芯片（chiplet）登场，这是一种模块化、可混搭的构建模块，它们被评为麻省理工技术评论2024年十大突破性技术之一。它们为制造过程提
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据路透社消息，中国NAND闪存制造商长江存储已就其被列入“实体清单”一事分别向美国国防部、美国商务部发起了诉讼。12月5日，长江存储于美国华盛顿联邦法院对美国防部提起诉讼，要求法官阻止国防部将公司列入所谓“涉军名单”并撤销这一认定。长江存储成立于2016年7月，是国内专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路厂商，旗下有零售存储品牌致态。长江存储以1600亿元的估值成功入围了胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》，位列中国十大独角兽第9、全球第21，成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。
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长江存储 3D NAND 闪存 存储器
近日，英伟达宣布入股新思科技，并开启多年深度合作，引发行业广泛关注。作为一家以算力和应用见长的芯片公司，为什么要亲自“下场”绑定一家 EDA 工具商？与之相呼应的是，台积电早已与楷登电子在先进制程与 3D 封装上形成紧密合作，把工艺规则直接嵌入设计工具之中。 这一系列动作清晰地揭示了一个深层趋势：在摩尔定律逼近极限、先进封装成为算力增长核心引擎的今天，半导体产业的竞争范式正从单一的制程竞赛，转向系统级的协同优化。想要继续提升性能、控制成本，就必须实现“工艺 + EDA + 设计”的深度协同，而
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